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FQI8P10TU
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FQI8P10TU Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 100V 8A I2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530 mOhm @ 4A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 25V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 65W (Tc) |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQI8P10TU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2558 |
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