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FQI8N60CTU Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1255pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.5A (Tc)
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Otros incluyen   "FQI8N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQI8N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQI8N25TU FSC CIs Calientes Especializados 1445
FQI8N60 FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 3437
FQI8N60C FSC CIs Calientes Especializados 2606
FQI8N60CTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2192
FQI8N60CTU ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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