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FQI17N08LTU
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FQI17N08LTU Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Supplier Device Package | I2PAK |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 8.25A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 65W (Tc) |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.5A (Tc) |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'FQI17'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQI17N08L | FSC | CIs Calientes Especializados | 8000 |
FQI17N08LTU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2788 |
FQI17N08TU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2557 |
FQI17N08TU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2773 |
FQI17N08TU | Rochester Electronics, LLC | Transistores MOSFET individuales | |
FQI17P06 | FSC | CIs Calientes Especializados | 11500 |
FQI17P06TU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 13560 |
FQI17P06TU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 13560 |
FQI17P06TU MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 12003 |
FQI17P20 | FSC | CIs Calientes Especializados | 1394 |
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