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FQI12N60CTU Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package I2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2290pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 225W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQI12N50TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2738
FQI12N50TU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2586
FQI12N60C FSC CIs Calientes Especializados 8000
FQI12N60CTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3128
FQI12N60TU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 399
FQI12N60TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 572
FQI12P20 FSC CIs Calientes Especializados 2706
FQI12P20TU FSC CIs Calientes Especializados 2760

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