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FQD8P10TM Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 530 mOhm @ 3.3A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.6A (Tc)
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Otros incluyen   "FQD8P"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQD8P' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQD8P10 FAIRCHI CIs Calientes Especializados 1111
FQD8P10 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 2376
FQD8P10TF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32836
FQD8P10TF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4300
FQD8P10TF_NB82052 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
FQD8P10TF_NB82052 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
FQD8P10TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 36777
FQD8P10TM ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQD8P10TM MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 1140
FQD8P10TM-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2501

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