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FQD7N30TF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 2.75A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Tc)
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Otros incluyen   "FQD7N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQD7N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQD7N10 FAIRCHI CIs Calientes Especializados 2702
FQD7N10L Fairchi CIs Calientes Especializados 13935
FQD7N10L MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 446
FQD7N10LTF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2715
FQD7N10LTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2676
FQD7N10LTF MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 1925
FQD7N10LTM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5252
FQD7N10LTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 25358
FQD7N10LTM ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQD7N10LTM MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 2095

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