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FQD630TM
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FQD630TM Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | D-Pak |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 3.5A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 46W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
FQD630TM Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQD630TM
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Hojas de datos
2.FQD630TM.pdf 1.FQD630TM.pdf
Otros incluyen "FQD63" partes
Las siguientes partes incluyen 'FQD63'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQD630 | F | CIs Calientes Especializados | 10280 |
FQD630TF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10000 |
FQD630TF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10000 |
FQD630TM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 11150 |
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