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FQD30N06TF_F080 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 11.4A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 945pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22.7A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQD30N06 FAIRCHI CIs Calientes Especializados 114864
FQD30N06 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 16717
FQD30N06L F CIs Calientes Especializados 2870
FQD30N06L MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 13019
FQD30N06LTF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
FQD30N06LTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
FQD30N06LTM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 436
FQD30N06LTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 37804
FQD30N06LTM-NL FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 1604
FQD30N06TF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32368

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