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FQD2N60TM Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7 Ohm @ 1A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
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Otros incluyen   "FQD2N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQD2N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQD2N100 FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 20446
FQD2N100TF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2708
FQD2N100TF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2524
FQD2N100TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6627
FQD2N100TM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6627
FQD2N100TM ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQD2N100TM MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 4930
FQD2N30 FAI CIs Calientes Especializados 7000
FQD2N30 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 2779
FQD2N30TF VB CIs Calientes Especializados 5000

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