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FQD17P06TF
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FQD17P06TF Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | D-Pak |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135 mOhm @ 6A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 25V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'FQD17'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQD17N08 | Original | CIs Calientes Especializados | 45251 |
FQD17N08L | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 32935 |
FQD17N08L MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 512 |
FQD17N08LTF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2169 |
FQD17N08LTF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32804 |
FQD17N08LTM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 45661 |
FQD17N08LTM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3005 |
FQD17N08LTM | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FQD17N10 | F | CIs Calientes Especializados | 32363 |
FQD17P06 | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 30288 |
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