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FQD12P10TM_F085 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290 mOhm @ 4.7A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.4A (Tc)
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Otros incluyen   "FQD12"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQD12' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQD1216ME/I H-5 NXP CIs Calientes Especializados 2603
FQD12N10 F CIs Calientes Especializados 10490
FQD12N10 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 16136
FQD12N10L CIs Calientes Especializados 999432
FQD12N20 F CIs Calientes Especializados 26045
FQD12N20L Fairchi CIs Calientes Especializados 10419
FQD12N20LTF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 416
FQD12N20LTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5416
FQD12N20LTM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 28954
FQD12N20LTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 56568

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