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FQB8N90CTM Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 171W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9 Ohm @ 3.15A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2080pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.3A (Tc)
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Otros incluyen   "FQB8N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQB8N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQB8N25 Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 650
FQB8N25TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2624
FQB8N25TM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2704
FQB8N25TM Rochester Electronics, LLC Transistores MOSFET individuales
FQB8N60 FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 2799
FQB8N60C FAIRCHI CIs Calientes Especializados 15725
FQB8N60C MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 387
FQB8N60CF FSC CIs Calientes Especializados 3563
FQB8N60CFTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 11151
FQB8N60CFTM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 368

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