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FQB7N20LTM Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 6.5A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 3.25A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 63W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Tc)
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Otros incluyen   "FQB7N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQB7N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQB7N10 Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 6090
FQB7N10 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 6457
FQB7N10L VB CIs Calientes Especializados 701
FQB7N10LTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 268
FQB7N10LTM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2500
FQB7N10TM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2629
FQB7N10TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2555
FQB7N10TM Rochester Electronics, LLC FQB7N10TM
FQB7N20 FAIRC CIs Calientes Especializados 12000
FQB7N20L VB CIs Calientes Especializados 17700

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