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FQB65N06TM Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 65A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 32.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2410pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 65A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQB65N06 FAIRCHI CIs Calientes Especializados 2630
FQB65N06TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2581

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