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FQB44N10TM Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 146W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39 mOhm @ 21.75A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 43.5A (Tc)
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Otros incluyen   "FQB44"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQB44' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQB44N10 Fairchi CIs Calientes Especializados 38963
FQB44N10 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 1352
FQB44N10TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 34488
FQB44N10TM ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQB44N10TM MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 397

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