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FQB33N10TM
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FQB33N10TM Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 127W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±25V |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 16.5A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
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Las siguientes partes incluyen 'FQB33'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQB33N10 | F | CIs Calientes Especializados | 30211 |
FQB33N10 MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 20928 |
FQB33N10L | F | CIs Calientes Especializados | 4442 |
FQB33N10LTM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32561 |
FQB33N10LTM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32561 |
FQB33N10LTM | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FQB33N10TM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 68685 |
FQB33N10TM | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FQB33N10TM MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1292 |
FQB33N25 | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 45 |
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