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FQB12N60CTM
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FQB12N60CTM Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 6A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2290pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 225W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
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Otros incluyen "FQB12" partes
Las siguientes partes incluyen 'FQB12'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQB12N20L | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 480 |
FQB12N50 | FAIRCHILD | CIs Calientes Especializados | 688 |
FQB12N50TM | Original | CIs Calientes Especializados | 5180 |
FQB12N50TM_0515+ | Original | CIs Calientes Especializados | 2621 |
FQB12N50TM_AM002 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32363 |
FQB12N50TM_AM002 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32363 |
FQB12N60 | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 10336 |
FQB12N60C | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 44601 |
FQB12N60C MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 6283 |
FQB12N60CTM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 37363 |
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