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FQAF90N08
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FQAF90N08 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 80V 56A TO-3PF
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-3PF |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 28A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3250pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
Package / Case | SC-94 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A (Tc) |
FQAF90N08 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQAF90N08
-
Hojas de datos
FQAF90N08.pdf
Otros incluyen "FQAF9" partes
Las siguientes partes incluyen 'FQAF9'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQAF90N08 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2522 |
FQAF9N50 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2560 |
FQAF9N50 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2681 |
FQAF9N90 | FAIRCHILD | CIs Calientes Especializados | 2512 |
FQAF9P25 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2574 |
FQAF9P25 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2522 |
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