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FQA7N80_F109 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-3PN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 3.6A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1850pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 198W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.2A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQA7N60 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2518
FQA7N60 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2679
FQA7N80 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1822
FQA7N80 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3632
FQA7N80C Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4512
FQA7N80C AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2857
FQA7N80C-F109 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2686
FQA7N80C-F109 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQA7N80C_F109 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2744
FQA7N80_F109 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2623

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