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FQA55N10 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 61A TO-3P

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-3P
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 30.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2730pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 190W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 61A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQA55N10 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6427
FQA55N25 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1662
FQA55N25 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 16155
FQA55N25 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQA55N25 CMH82N25 Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 356
FQA55N25 CMH82N25 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 471
FQA55N25 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 398

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