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FQA10N80C_F109 Especificaciones técnicas

FQA10N80C_F109 Fairchild/ON Semiconductor

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-3P
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 Ohm @ 5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 240W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
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Otros incluyen   "FQA10"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQA10' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQA10N60 FSC CIs Calientes Especializados 2690
FQA10N60C AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2653
FQA10N60C Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2663
FQA10N80 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2645
FQA10N80 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2657
FQA10N80C AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2787
FQA10N80C Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6229
FQA10N80C-F109 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2568
FQA10N80C-F109 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQA10N80_F109 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2620

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