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FJP5027RTU Especificaciones técnicas

TRANS NPN 800V 3A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 800V
Transistor Type NPN
Power - Max 50W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 200mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2V @ 300mA, 1.5A
Supplier Device Package TO-220-3
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 15MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FJP5021 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2677
FJP5021 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2734
FJP5021-R CIs Calientes Especializados 537
FJP50210TU Original CIs Calientes Especializados 50
FJP5021O Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2635
FJP5021O AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2527
FJP5021OTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 3072
FJP5021OTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 320
FJP5021OTU Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
FJP5021OTU ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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