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FJP2160DTU Especificaciones técnicas

TRANS NPN 800V 2A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 800V
Transistor Type NPN
Series ESBC™
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 125°C (TJ)
Frequency - Transition 5MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 750mV @ 330mA, 1A
Supplier Device Package TO-220-3
Power - Max 100W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 400mA, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
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Otros incluyen   "FJP21"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FJP2145TU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2626
FJP2145TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2565
FJP2145TU ON Semiconductor Transistores BJT individuales
FJP2160DTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2652
FJP2160DTU ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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