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FJN4309RTA Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 300mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Supplier Device Package TO-92-3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Box (TB)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FJN4301RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2704
FJN4301RBU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2518
FJN4301RBU ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
FJN4301RTA Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2679
FJN4301RTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2715
FJN4301RTA ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
FJN4302RBU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2580
FJN4302RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2562
FJN4302RBU ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
FJN4302RTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 18000

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