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FGH40T100SMD Especificaciones técnicas

IGBT 1000V 80A 333W TO247-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V
Test Condition 600V, 40A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 2.35mJ (on), 1.15mJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 78ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 265nC
Current - Collector (Ic) (Max) 80A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A
Td (on/off) @ 25°C 29ns/285ns
Supplier Device Package TO-247-3
Power - Max 333W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGH40N120AN FSC CIs Calientes Especializados 2623
FGH40N120ANTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2552
FGH40N120ANTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2778
FGH40N120ANTU ON Semiconductor IGBTs individuales
FGH40N120ANTU IC ONSEMI CIs Calientes Especializados 9273
FGH40N60 AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 525
FGH40N60SF FSC CIs Calientes Especializados 32571
FGH40N60SFD FAIRCHI CIs Calientes Especializados 2453
FGH40N60SFDTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 5250
FGH40N60SFDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 6519

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