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FGB5N60UNDF Especificaciones técnicas

IGBT 600V 10A 73.5W D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 400V, 5A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 80µJ (on), 70µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 35ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 12.1nC
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 5A
Td (on/off) @ 25°C 5.4ns/25.4ns
Supplier Device Package TO-263AB (D²PAK)
Power - Max 73.5W
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 15A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGB5N60UNDF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 6760
FGB5N60UNDF ON Semiconductor IGBTs individuales

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