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FGB40N6S2 Especificaciones técnicas

IGBT 600V 75A 290W TO263AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 390V, 20A, 3 Ohm, 15V
Switching Energy 115µJ (on), 195µJ (off)
Power - Max 290W
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type -
Current - Collector Pulsed (Icm) 180A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 20A
Td (on/off) @ 25°C 8ns/35ns
Supplier Device Package TO-263AB
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 35nC
Current - Collector (Ic) (Max) 75A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGB40N60SM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 85848
FGB40N60SM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 88303
FGB40N60SM ON Semiconductor IGBTs individuales
FGB40N6S2 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2517
FGB40N6S2 Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
FGB40N6S2 ON Semiconductor IGBTs individuales
FGB40N6S2T Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2561
FGB40N6S2T AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 0
FGB40N6S2T Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
FGB40N6S2T ON Semiconductor IGBTs individuales

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