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FGB30N6S2DT Especificaciones técnicas

IGBT 600V 45A 167W TO263AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 55µJ (on), 100µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 46ns
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 23nC
Current - Collector (Ic) (Max) 45A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 12A
Td (on/off) @ 25°C 6ns/40ns
Supplier Device Package TO-263AB
Power - Max 167W
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type -
Current - Collector Pulsed (Icm) 108A
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Otros incluyen   "FGB30"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGB3040 FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 562
FGB3040CS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 12014
FGB3040CS Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 12014
FGB3040CS ON Semiconductor IGBTs individuales
FGB3040CS_F085 FSC/ON CIs Calientes Especializados 38000
FGB3040E1 FSC CIs Calientes Especializados 20354
FGB3040E1 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 2983
FGB3040G2 FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 2541
FGB3040G2-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2548
FGB3040G2-F085 ON Semiconductor IGBTs individuales

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