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FGA6560WDF Especificaciones técnicas

IGBT 650V 120A 306W TO-3PN

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 60A, 6 Ohm, 15V
Switching Energy 2.46mJ (on), 520µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 110ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 84nC
Current - Collector (Ic) (Max) 120A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 60A
Td (on/off) @ 25°C 25.6ns/71ns
Supplier Device Package TO-3PN
Power - Max 306W
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 180A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGA6530WDF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2555
FGA6530WDF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2723
FGA6530WDF ON Semiconductor IGBTs individuales
FGA6540WDF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2649
FGA6540WDF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2779
FGA6540WDF ON Semiconductor IGBTs individuales
FGA6560WDF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2935
FGA6560WDF ON Semiconductor IGBTs individuales
FGA6560WDF IGBT AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 481

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