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FGA30T65SHD
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FGA30T65SHD Especificaciones técnicas
IGBT 650V 60A 238W TO-3PN
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Test Condition | 400V, 30A, 6 Ohm, 15V |
Switching Energy | 598µJ (on), 167µJ (off) |
Reverse Recovery Time (trr) | 31.8ns |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 54.7nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 60A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
Td (on/off) @ 25°C | 14.4ns/52.8ns |
Supplier Device Package | TO-3PN |
Power - Max | 238W |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Mounting Type | Through Hole |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 90A |
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Las siguientes partes incluyen 'FGA30'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FGA3060ADF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 3005 |
FGA3060ADF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 449 |
FGA3060ADF | ON Semiconductor | IGBTs individuales | |
FGA30N120FTD | FSC | CIs Calientes Especializados | 32742 |
FGA30N120FTDTU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 2540 |
FGA30N120FTDTU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 2751 |
FGA30N120FTDTU | ON Semiconductor | IGBTs individuales | |
FGA30N60LSD | FSC | CIs Calientes Especializados | 9648 |
FGA30N60LSDTU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 3128 |
FGA30N60LSDTU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 5097 |
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