FDZ663P Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-WLCSP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Package / Case 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package 4-WLCSP (0.80x0.80)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 134 mOhm @ 2A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 525pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A (Ta)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDZ661PZ Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 8088
FDZ661PZ AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3224
FDZ661PZ ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDZ663P AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0
FDZ663P ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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