FDU8882 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-251
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5 mOhm @ 35A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1260pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 55W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.6A (Ta), 55A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDU8870 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2610
FDU8870 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2706
FDU8874 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 603
FDU8874 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 11211
FDU8876 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10759
FDU8876 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10759
FDU8876 Rochester Electronics, LLC Transistores MOSFET individuales
FDU8876 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 843
FDU8878 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9163
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