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FDU6N25 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series UniFET™
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package I-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 Ohm @ 2.2A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.4A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'FDU6N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDU6N20TM VB CIs Calientes Especializados 1000
FDU6N25 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5428
FDU6N25 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDU6N50 FAIRCHI CIs Calientes Especializados 501
FDU6N50F VB CIs Calientes Especializados 1000
FDU6N50FTU VB CIs Calientes Especializados 1000
FDU6N50TU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1170
FDU6N50TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2008
FDU6N50TU ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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