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FDS6162N3
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FDS6162N3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 20V 21A 8-SOIC
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 21A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5521pF @ 10V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PowerTrench® |
Power Dissipation (Max) | 3W (Ta) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Ta) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "FDS61" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDS61'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDS6134CS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 50 |
FDS6143CS | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 2573 |
FDS6162N3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2598 |
FDS6162N7 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2997 |
FDS6162N7 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2990 |
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