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FDS5170N7 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 10.6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2889pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 3W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 71nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.6A (Ta)
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Otros incluyen   "FDS51"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FDS51' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDS5109M FAI CIs Calientes Especializados 2647
FDS5170N7 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3041
FDS5170N7-NL FAIRCHI CIs Calientes Especializados 2713

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