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FDS3170N7 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 6.7A 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 6.7A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2714pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 3W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 77nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.7A (Ta)
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Las siguientes partes incluyen  'FDS31' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDS3170N7 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 18149
FDS3170N7 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 22878
FDS3170N7-NL Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 9

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