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FDS2170N7
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FDS2170N7 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | 8-SOIC |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 128 mOhm @ 3A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1292pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PowerTrench® |
Power Dissipation (Max) | 3W (Ta) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
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Las siguientes partes incluyen 'FDS21'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDS2170N3 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 68490 |
FDS2170N3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 68490 |
FDS2170N3 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 2055 |
FDS2170N7 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 67202 |
FDS2170N7. | FAI | CIs Calientes Especializados | 2623 |
FDS2170N7. MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1818 |
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