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FDR8308P
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FDR8308P Especificaciones técnicas
MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Series | PowerTrench® |
Power - Max | 800mW |
Package / Case | 8-SMD, Gull Wing |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 4.5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | SuperSOT™-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 3.2A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1240pF @ 10V |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
FDR8308P Documentos
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Hojas de datos
FDR8308P.pdf
Otros incluyen "FDR83" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDR83'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDR8305N | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 3000 |
FDR8305N | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2652 |
FDR8305N | ON Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs | |
FDR8308P | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 24447 |
FDR8308P | Rochester Electronics, LLC | Matrices de transistores MOSFETs | |
FDR8308P | ON Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs | |
FDR8308P MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 2547 |
FDR8321L | FSC | CIs Calientes Especializados | 11046 |
FDR836P | FSC | CIs Calientes Especializados | 582 |
FDR838P | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 125212 |
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