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FDPF8N60ZUT Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V TO-220F-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series UniFET™
Power Dissipation (Max) 34.5W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220F
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35 Ohm @ 3.25A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1265pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDPF8D5N10C AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 493
FDPF8D5N10C ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDPF8N50NZ Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 50428
FDPF8N50NZ AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 44712
FDPF8N50NZ ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDPF8N50NZ MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 604
FDPF8N50NZ TK8A50D Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 32363
FDPF8N50NZF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 25612
FDPF8N50NZF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 18978
FDPF8N50NZF ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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