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FDP8870
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FDP8870 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 35A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PowerTrench® |
Power Dissipation (Max) | 160W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 132nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Ta), 156A (Tc) |
FDP8870 Documentos
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'FDP88'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDP8860 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 12401 |
FDP8860 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 93297 |
FDP8860 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDP8860 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 659 |
FDP8870 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDP8870 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1023 |
FDP8870-F085 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2636 |
FDP8870_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 22793 |
FDP8874 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 103380 |
FDP8874 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 103380 |
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