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FDP65N06
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FDP65N06 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 60V 65A TO-220
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | UniFET™ |
Power Dissipation (Max) | 135W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-220-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 32.5A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2170pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65A (Tc) |
FDP65N06 Documentos
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDP65N06 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 90237 |
FDP65N06 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales |
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