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FDP51N25
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FDP51N25 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 250V 51A TO-220
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | UniFET™ |
Power Dissipation (Max) | 320W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-220-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 25.5A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3410pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 51A (Tc) |
FDP51N25 Documentos
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2.FDP51N25.pdf 1.FDP51N25.pdf
Otros incluyen "FDP51" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDP51'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDP51N25 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 19417 |
FDP51N25 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDP51N25 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 862 |
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