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FDP18N50 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 18A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series UniFET™
Power Dissipation (Max) 235W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 265 mOhm @ 9A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2860pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDP18N20 FSC CIs Calientes Especializados 25
FDP18N20F AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 25790
FDP18N20F Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 25790
FDP18N20F ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDP18N20V2 VB CIs Calientes Especializados 37365
FDP18N50 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 38082
FDP18N50 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDP18N50 MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 1403

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