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FDP027N08B_F102
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FDP027N08B_F102 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PowerTrench® |
Power Dissipation (Max) | 246W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 178nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-220-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 100A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13530pF @ 40V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDP020N06B | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 4785 |
FDP020N06B-F102 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2558 |
FDP020N06B-F102 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDP020N06BH | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1264 |
FDP020N06B_F102 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2675 |
FDP023N08B | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 20602 |
FDP023N08B-F102 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 15301 |
FDP023N08B-F102 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDP023N08BH | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 150 |
FDP023N08B_F102 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2577 |
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