FDMS4435BZ Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 30V 9A POWER56

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6), Power56
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 9A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2050pF @ 15V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta), 18A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDMS4435BZ AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 23743
FDMS4435BZ ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDMS4D0N12C AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 51359
FDMS4D0N12C ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDMS4D4N08C AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9908

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