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FDI2532 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 33A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5870pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 310W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 107nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta), 79A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDI2532 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6099
FDI2532 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 462

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