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FDD6N50FTF
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FDD6N50FTF Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Supplier Device Package | D-Pak |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.15 Ohm @ 2.75A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 960pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | UniFET™ |
Power Dissipation (Max) | 89W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.8nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "FDD6N" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDD6N'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDD6N20 | FAIRCHILD | CIs Calientes Especializados | 434 |
FDD6N20TF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 23061 |
FDD6N20TF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 28116 |
FDD6N20TM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 34839 |
FDD6N20TM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 34839 |
FDD6N20TM | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDD6N20TM MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 24031 |
FDD6N25 | FAIRCHILD | CIs Calientes Especializados | 2322 |
FDD6N25 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 480 |
FDD6N25TF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2639 |
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