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FDD3570 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 80V 10A D-PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-252
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 40V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 3.4W (Ta), 69W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 76nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDD3510H AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 25996
FDD3510H Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 5271
FDD3510H ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
FDD3510H IC Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 20445
FDD3510H MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 1138
FDD3570 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 53964
FDD3570 Rochester Electronics, LLC Transistores MOSFET individuales
FDD3570 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 406
FDD3580 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10417
FDD3580 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 48091

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