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FDD2570 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 150V 4.7A D-PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-252
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 4.7A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1907pF @ 75V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.7A (Ta)
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Otros incluyen   "FDD25"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDD25-03S1 CHINFA CIs Calientes Especializados 45240
FDD25-03S2 CHINFA CIs Calientes Especializados 45307
FDD25-03S3 CHINFA CIs Calientes Especializados 45317
FDD25-05S1 CHINFA CIs Calientes Especializados 45464
FDD25-05S2 CHINFA Módulos IGBT 2769
FDD25-05S3 CHINFA CIs Calientes Especializados 45356
FDD25-12D1 CHINFA CIs Calientes Especializados 45471
FDD25-12D2 CHINFA CIs Calientes Especializados 45487
FDD25-12D3 CHINFA CIs Calientes Especializados 45225
FDD25-12S1 CHINFA CIs Calientes Especializados 45365

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