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FDD18N20LZ
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FDD18N20LZ Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 200V DPAK-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | UniFET™ |
Power Dissipation (Max) | 89W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | D-Pak |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 8A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1575pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
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Las siguientes partes incluyen 'FDD18'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDD18N20L | Fairchild | CIs Calientes Especializados | 2900 |
FDD18N20LZ | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 26795 |
FDD18N20LZ | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales |
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